单边突变结的（)主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

A.温度

B.掺杂浓度

C.材料种类

D.外加电压

A.减小低掺杂区的掺杂浓度

B.提高P区和N区的掺杂浓度

C.选用禁带宽度高的半导体材料

D.选用本征载流子浓度小的半导体材料

A.电子

B.空穴

C.质子

D.光子

A.电子

B.空穴

C.质子

D.光子

A.源漏pn结耗尽区宽度缩小K倍

B.沟道电阻不变

C.饱和区跨导缩小K倍

D.栅极总电容缩小K倍

A.更低

B.更高

C.不变

D.不确定

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.晶体缺陷

A.势垒区宽度较大的PN结容易发生隧道击穿

B.隧道击穿也称齐纳击穿

C.隧道击穿发生在重掺杂PN结中

D.隧道击穿的击穿电压温度系数为负

A.入射光尽可能地少在耗尽区内吸收

B.二极管有宽的耗尽区

C.二极管有窄的耗尽区

D.二极管必须外加正向偏压