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第1题
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是（)的，为（)。
A.正，电离施主杂质
B.正，电离施主杂质和空穴
C.负，电离受主杂质
D.负，电离受主杂质和电子
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第2题
下列选项中，不属于对PN结空间电荷区放电的是（)。
A.在PN结上的正向电压减小
B.在PN结上的反向电压增加
C.使空间电荷区势垒宽度增加
D.使载流子从半导体流入空间电荷区
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第3题
无机非金属材料中电导的载流子可以是（)。
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第4题
实际PN结的空间电荷区不满足耗尽层近似，相当于势垒高度（)。
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第6题
电子摆脱共价键而形成电子和空穴的过程，就是一个（)从价带到导带的量子跃迁过程。
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第7题
清洁表面（)悬挂键，对电子来说清洁表面具有（)的性质。
A.存在，受主
B.存在，施主
C.不存在，受主
D.不存在，施主
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第8题
在书写缺陷方程时，不引入电荷的缺陷是（)。
A.离子空位
B.间隙离子
C.等价置换原子
D.电子缺陷
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第9题
以n型半导体MIS结构为例，当在栅极上加上负电压时，随着电压的加大，吸引到半导体表面的（)浓度迅速增加，形成反型层。
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第10题
若给PN结两端加反向电压时，空间电荷区将（）。
A.A.变窄
B.B.基本不变
C.C.变宽
D.D.无法确定
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