题目
第1题
A.MOS管的源漏对称,所以器CGS和CGD相同。
B.MOS器件中存在多个寄生电容,在不同频率下,器件的工作特性有较大差异。
C.MOS管的栅极和源极电容值,与MOS管工作状态无关。
D.MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
第2题
A.MOS管的源漏对称,所以器CGS和CGD相同。
B.MOS器件中存在多个寄生电容,在不同频率下,器件的工作特性有较大差异。
C.MOS管的栅极和源极电容值,与MOS管工作状态无关。
D.MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
第3题
A.MOS管的源漏对称,所以器CGS和CGD相同。
B.MOS器件中存在多个寄生电容,在不同频率下,器件的工作特性有较大差异。
C.MOS管的栅极和源极电容值,与MOS管工作状态无关。
D.MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
第9题
A.MOS器件具有高输入阻抗
B.MOS提供载流子的端口为漏,接受载流子的端口为源
C.NMOS器件的衬底接地,PMOS器件衬底接VDD
D.工作状态的MOS管所有pn结必须反偏(或零偏)
第10题
A.MOS器件具有高输入阻抗
B.MOS提供载流子的端口为漏,接受载流子的端口为源
C.NMOS器件的衬底接地,PMOS器件衬底接VDD
D.工作状态的MOS管所有pn结必须反偏(或零偏)
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