下列关于MOS器件说法不正确的有（）

A.MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

B.MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

C.MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

D.MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

A.NMOS器件包括栅（G），源（S），漏（D）等端口。

B.NMOS器件的源漏对称。

C.NMOS器件作为开关使用时，栅极接高电平，则源-漏端导通。

D.NMOS器件作为开关使用时，栅极接低电平，则源-漏端断开

A.MOS管，2

B.MOS管，1

C.三极管，1

D.三极管，2

A.该器件有2个输入端

B.该器件使用6个MOS器件

C.该器件使用2个PMOS

D.该器件中NMOS器件为串联

A.多数载流子

B.少数载流子

C.杂质正离子

D.杂质负离子

A.MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。

B.MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。

C.MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。

D.MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。