下列关于MOS器件说法不正确的有

A.MOS器件具有高输入阻抗

B.MOS提供载流子的端口为漏，接受载流子的端口为源

C.NMOS器件的衬底接地，PMOS器件衬底接VDD

D.工作状态的MOS管所有pn结必须反偏（或零偏）

A.工作在饱和区的NMOS器件可用作电流源

B.工作在饱和区的PMOS器件可用作电流源

C.当MOS器件的沟道被夹断时，MOS器件截止

D.当VGS ＞VTH，VDS ＞VGS - VTH时，NMOS器件的沟道被夹断

A.工作在饱和区的NMOS器件可用作电流源

B.工作在饱和区的PMOS器件可用作电流源

C.当MOS器件的沟道被夹断时，MOS器件截止

D.当VGS ＞VTH，VDS ＞VGS - VTH时，NMOS器件的沟道被夹断

A.该器件有2个输入端

B.该器件使用6个MOS器件

C.该器件使用2个PMOS

D.该器件中NMOS器件为串联

A.电流型器件多属于双极型器件，有电导调制效应，通流能力很强

B.电流型器件开关速度比较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂

C.电压型器件多属于单极型器件，电压驱动

D.电压型器件开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单

E.电压型器件通流能力低，导通后通态压降大

A.MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

B.MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

C.MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

D.MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

A.MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

B.MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

C.MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

D.MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

A.MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。

B.MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。

C.MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。

D.MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。

A.MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。

B.MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。

C.MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。

D.MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。