若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（)。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体

若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度

A、高20～30℃

B、高10～20℃

C、高10℃以内

D、低10℃以内

E、低10～20℃

上釉的烧结温度是()。

A.低于体瓷烧结温度5℃

B.低于体瓷烧结温度10℃

C.高于体瓷烧结温度5℃

D.高于体瓷烧结温度10℃

E.以上均不正确

PFM冠上釉时的炉温是

A、与体瓷的烧结温度相同

B、低于体瓷烧结温度6～8℃

C、低于体瓷烧结温度10～20℃

D、高于体瓷烧结温度6～8℃

E、高于体瓷烧结温度10～20℃

上釉的烧结温度是

A．低于体瓷温度5℃

B．低于体瓷温度10℃

C．低于体瓷温度20℃

D．高于体瓷温度5℃

E．高于体瓷温度10℃

用釉粉上釉的烧结温度是

A.低于体瓷烧结温度6～8℃

B.高于体瓷烧结温度10℃

C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E.防止磨料成分污染金属表面

A.瓷层越厚越好

B.镍铬合金基底冠较金合金强度好

C.避免多次烧结

D.体瓷要在真空中烧结

E.上釉在空气中完成

A.瓷层越厚越好

B.镍铬合金基底冠较金合金强度好

C.多次烧结可提高瓷的热膨胀系数

D.体瓷要在真空中烧结

E.上釉在空气中完成

A.瓷层越厚越好

B.镍铬合金基底冠较金合金强度好

C.上釉在空气中完成

D.体瓷要在真空中烧结

A.金属底冠的每一部位均应有瓷覆盖

B.瓷层越厚越好

C.体瓷在真空中烧结

D.上釉在真空中完成

E.Ni-Cr合金基底冠比金合金底冠强度大

自身釉烧结的温度是

A.低于体瓷烧结温度6～8℃

B.高于体瓷烧结温度10℃

C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E.防止磨料成分污染金属表面