重要提示：
请勿将账号共享给其他人使用，违者账号将被封禁！
题目
上釉的烧结温度是
A．低于体瓷温度5℃
B．低于体瓷温度10℃
C．低于体瓷温度20℃
D．高于体瓷温度5℃
E．高于体瓷温度10℃
更多“上釉的烧结温度是A．低于体瓷温度5℃B．低于体瓷温度10℃C．低于体瓷温度20℃D．高于体瓷温度5℃E．高于体”相关的问题
第1题
上釉的烧结温度是()。
A.低于体瓷烧结温度5℃
B.低于体瓷烧结温度10℃
C.高于体瓷烧结温度5℃
D.高于体瓷烧结温度10℃
E.以上均不正确
第2题
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是()。
A.低于体瓷烧结温度5℃
B.低于体瓷烧结温度10℃
C.高于体瓷烧结温度5℃
D.高于体瓷烧结温度10℃
E.以上均不正确
第3题
用釉粉上釉的烧结温度是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
第4题
PFM冠上釉时的炉温是
A、与体瓷的烧结温度相同
B、低于体瓷烧结温度6～8℃
C、低于体瓷烧结温度10～20℃
D、高于体瓷烧结温度6～8℃
E、高于体瓷烧结温度10～20℃
第5题
自身釉烧结的温度是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
第6题
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
第7题
除气、氧化的目的是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
第8题
若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度
A、高20～30℃
B、高10～20℃
C、高10℃以内
D、低10℃以内
E、低10～20℃
第9题
除气、氧化的方法是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
第10题
以下关于金瓷冠的描述哪项是错误的
A.瓷层越厚越好
B.镍铬合金基底冠较金合金强度好
C.多次烧结可提高瓷的热膨胀系数
D.体瓷要在真空中烧结
E.上釉在空气中完成
相关内容
警告：系统检测到您的账号存在安全风险
为了保护您的账号安全，请在“赏学吧”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！
