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第1题
金在半导体硅中主要作为复合中心,减少载流子寿命,提高器件开关速度。
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第2题
砷在半导体硅中主要作为复合中心,减少载流子寿命,提高器件开关速度
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第3题
实际应用中,可以在硅中掺入少量的金,来缩小少数载流子的寿命,但不会严重影响半导体硅的电阻率
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第4题
缩短材料的少子寿命,会 二极管的开关速度,向半导体中掺金,会 二极管的开关速度。
A.提高 ,提高
B.提高 ,降低
C.降低,提高
D.降低,降低
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第5题
半导体中非平衡载流子的复合主要有几种复合机理?分别讨论复合机理中,影响载流子寿命的主要因素是什么?
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第6题
关于表面复合,说法正确的有:
A.表面复合速度不会影响器件的性能。
B.表面复合不会影响少数载流子寿命。
C.表面复合是间接复合。
D.表面复合只受晶体表面物理的影响。
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第7题
重掺杂n型半导体中,对寿命起决定作用的是复合中心对电子的俘获系数。()
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第8题
用金属探针与半导体接触以测量半导体的电阻率通过采取()避免少数载流子注入的影响。
A.引入杂质
B.改变接触
C.增加表面复合
D.减少表面复合
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第9题
下列半导体器件参量中,受温度影响的是()。
A.多数载流子
B.少数载流子
C.杂质正离子
D.杂质负离子
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第10题
比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()
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第11题
比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是
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