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第1题
在室温27度时,硅二极管的死区电压大约为 V。
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第2题
二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为0.5-0.7V, 锗约为0.2--0.3V
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第3题
一般情况下,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压()。
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第4题
温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好
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第9题
硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。
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第10题
设某二极管反向电压为10V时,反向电流为 0.1μA 。在保持反向电压不变的条件下,当二极管的结温升高10℃,反向电流大约为()。
A.0.05μA
B.0.1μA
C.0.2μA
D.1μA
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