更多“温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好”相关的问题
第1题
通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
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第2题
一般情况下，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（)。
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第3题
二极管的反向饱和电流在20摄氏度时时5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（）微安。
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第4题
当温度升高时，二极管的反向饱和电流会 （） 。
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第5题
二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为0.5-0.7V, 锗约为0.2--0.3V
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第6题
硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
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第7题
在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；
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第8题
在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____。
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