测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-1V，VTP=-1.5V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。

A.恒流

B.可变电阻

C.预夹断临界点

D.截止

A.恒流区（饱和区、放大工作区）

B.可变电阻区

C.预夹断临界点

D.截止区

A.饱和区（恒流区、放大工作区）

B.可变电阻区

C.预夹断临界点

D.截止区

A.预夹断临界点

B.饱和区（恒流区、放大工作区）

C.可变电阻区

D.截止区

A.恒流区（饱和区、放大工作区）

B.可变电阻区

C.预夹断临界点

D.截止区

A.饱和

B.截止

C.可变电阻

D.无法判断

A.开启电压

B.夹断电压

C.截止电压

D.击穿电压

A.恒流区（饱和区、放大工作区）

B.可变电阻区

C.预夹断临界点

D.截止区

A.当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极间存在导电沟道。

B.当栅极电压小于零时，N沟道增强型的电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。

C.当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极间不能导通。

D.当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。

A.N沟道增强型MOSFET

B.P沟道增强型MOSFET

C.N沟道耗尽型MOSFET

D.P沟道耗尽型MOSFET