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第1题
抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生
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第2题
抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生
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第3题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对哪种(些)离子通透性变化所致
A.Na+或K+通透性升高
B.Ca2+或K+通透性升高
C.Ca2+或Cl-通透性升高
D.K+或Cl-通透性升高
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第4题
关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是
A.突触后膜对钙离子和钾离子的通透性增大
B.突触后膜去极化
C.突触后膜出现超极化
D.突触后膜出现复极化
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第5题
抑制性突触后电位(IPSP)的产生是后膜对哪种离子通透性增加
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第6题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜
A.钠离子内流
B.氯离子内流
C.钙离子内流
D.钾离子外流
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第7题
IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加?
A.Na+
B.Ca2+
C.K+和Cl-,尤其是Cl-
D.K+和Cl-,尤其是K+
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第8题
EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性?
A.Na+、K+、Cl-,尤其是Na+
B.Ca2+和K+
C.Na+、K+、Cl-,尤其是K+
D.K+、Cl-,尤其是Cl-
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第9题
关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
A.突触后膜去极化
B.突触后膜出现超极化
C.突触后膜对Ca2+通透性增大
D.突触前轴突末梢超极化
E.由突触前膜递质释放量减少所致
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