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第1题
抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生
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第2题
关于EPSP和IPSP错误的是
A.都是局部电位
B.均是引起突触后膜离子电导发生了改变
C.EPSP释放了兴奋性的递质,引起膜的去极化
D.IPSP引发了钾离子外流,突触后膜超极化
E.突触后膜上的受体一般为配体门控的离子通道
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第3题
兴奋性突触后电流是由于突触后膜对下列哪些离子通透性增加所致?()
A.Na+、K+,尤其是K+
B.Na+、K+,尤其是Na+
C.K+、CI-,尤其是CI-
D.CI-,尤其是K+
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第4题
IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加?
A.Na+
B.Ca2+
C.K+和Cl-,尤其是Cl-
D.K+和Cl-,尤其是K+
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第5题
下列对于化学突触的描述错误的是
A.通过释放神经递质传递信号
B.A. 能够双向传递
C.A. 突触前和突触后的神经元胞质不相互连通
D.A. 一般需要钙离子流入突触前膜
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第6题
兴奋性突触后电位是
A.突触后神经元处于兴奋状态
B.经一中间神经元的中介而产生
C.可由突触后膜K+电导增加而产生
D.可由突触后膜Ca2+电导增加而产生
E.幅度不收突触前膜递质释放量的影响
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第7题
IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的
A.K+、Na+,尤其是K+
B.K+、Na+,尤其是Na+
C.Ca2+、K+、Cl-,尤其是K+
D.Cl-,尤其是Cl-
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第8题
EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性?
A.Na+、K+、Cl-,尤其是Na+
B.Ca2+和K+
C.Na+、K+、Cl-,尤其是K+
D.K+、Cl-,尤其是Cl-
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第9题
突触后膜的膜电位在递质作用下发生去极化改变,使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性降低,这种电位变化称为EPSP。
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