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第1题
雪崩光电二极管APD是通过碰撞电离获得内部增益,使得光电流实现雪崩倍增的高灵敏度光检测器。
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第2题
雪崩光电二极管APD是通过碰撞电离获得内部增益,使得光电流实现雪崩倍增的高灵敏度光检测器。
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第3题
APD就是利用雪崩效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。
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第4题
随着PN结反向电压的增加,载流子在势垒区积累的能量增加,会发生雪崩倍增效应,当()时,雪崩倍增因子趋于无穷大,发生雪崩击穿。
A.碰撞电离率小于1
B.碰撞电离率等于1
C.碰撞电离率积分等于1
D.碰撞电离率积分小于1
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第5题
随着PN结反向电压的增加,载流子在势垒区积累的能量增加,会发生雪崩倍增效应,当()时,雪崩倍增因子趋于无穷大,发生雪崩击穿。
A.碰撞电离率小于1
B.碰撞电离率等于1
C.碰撞电离率积分等于1
D.碰撞电离率积分小于1
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第6题
随着PN结反向电压的增加,载流子在势垒区积累的能量增加,会发生雪崩倍增效应,当()时,雪崩倍增因子趋于无穷大,发生雪崩击穿。
A.碰撞电离率小于1
B.碰撞电离率等于1
C.碰撞电离率积分等于1
D.碰撞电离率积分小于1
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第7题
简述雪崩光电二极管APD的雪崩倍增效应。
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第8题
雪崩二极管中,由于碰撞雪崩电离效应,使得管内雪崩电流Ia的峰值滞后了外电路交变电压Vac的峰值()度,这就是雪崩区的延时。
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第9题
雪崩二极管中,由于碰撞雪崩电离效应,使得管内雪崩电流Ia的峰值滞后了外电路交变电压Vac的峰值()度,这就是雪崩区的延时。
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