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第1题
雪崩光电二极管APD是通过碰撞电离获得内部增益,使得光电流实现雪崩倍增的高灵敏度光检测器。
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第2题
简述雪崩光电二极管APD的雪崩倍增效应。
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第3题
随着PN结反向电压的增加,载流子在势垒区积累的能量增加,会发生雪崩倍增效应,当()时,雪崩倍增因子趋于无穷大,发生雪崩击穿。
A.碰撞电离率小于1
B.碰撞电离率等于1
C.碰撞电离率积分等于1
D.碰撞电离率积分小于1
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第4题
随着PN结反向电压的增加,载流子在势垒区积累的能量增加,会发生雪崩倍增效应,当()时,雪崩倍增因子趋于无穷大,发生雪崩击穿。
A.碰撞电离率小于1
B.碰撞电离率等于1
C.碰撞电离率积分等于1
D.碰撞电离率积分小于1
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第5题
外光电效应(光电倍增管)是入射光能量大,能将光敏材料的的内部电子全部激发出来。典型器件APD雪崩光电二极管
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第6题
雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。
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第7题
雪崩光电二极管特性中的量子效率只与初级光生载流子数目有关,不涉及倍增问题,故量子效率值总是()。
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第8题
【单选题】采用硅材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围()
A.0.4-0.5μm
B.0.4-1.0μm
C.0.5-1.0μm
D.0.5-1.5μm
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