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第1题
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
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第2题
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。
A.N沟道耗尽型
B.N沟道增强型
C.P沟道耗尽型
D.P沟道增强型
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第3题
增强型MOS场效应管由于预先在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的离子,因此存在原始的导电沟道。
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第4题
增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子,因此存在原始的导电沟道。
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第5题
N沟道增强型MOS管的开启电压VTN < 0, P沟道耗尽型MOS的开启电压VTP > 0。
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第6题
增强型MOS管,在无外加偏置电压时,不存在导电沟道。
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第7题
对于MOSFET,根据栅源电压为0时是否存在导电沟道,可分为 场效应管和 场效应管。
A.MOS;结型
B.增强型;结型
C.增加型;耗尽型
D.耗尽型;结型
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第8题
在下列场效应管中,无原始导电沟道的为 。
A.N沟道JFET
B.耗尽型PMOS管
C.耗尽型NMOS管
D.增强型PMOS管
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第9题
场效应管特性曲线仿真。要求: 1.分别选择一N沟道增强型MOS管、一P沟道耗尽型MOS管,仿真其伏安特性曲线。 2.对比这两个伏安特性曲线,寻找其差别。
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