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第1题
通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流,正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
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第2题
温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好
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第3题
二极管的反向饱和电流在20摄氏度时时5微安,温度每升高10摄氏度,其反向饱和电流增大一倍,当温度为50摄氏度时,反向饱和电流值为()微安。
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第4题
半导体二极管温度升高时,少数载流子的浓度明显增大,因此二极管反向饱和电流明显增大。
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第5题
当温度升高时,二极管的反向饱和电流会 () 。
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第6题
二极管的漏电流(反向饱和电流)越大,说明管子的单向导电性越好。
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第7题
有A、B两个二极管,它们的反向饱和电流分别为5毫安和0.2微安,在外加相同正向电压时的电流分别为20毫安和8毫安。可见B管的性能较好。
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第8题
一般情况下,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压()。
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第9题
当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流Is将增大,是因为此时PN结内部的()。
A.多数载流子浓度增大
B.少数载流子浓度增大
C.多数载流子浓度减小
D.少数载流子浓度减小
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