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第1题
P沟道耗尽型MOS管的栅源夹断电压是________。
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第2题
P沟道耗尽型场效应管工作在恒流区时,外加栅源电压vGS的极性为______。
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第3题
N沟道耗尽型MOSFET,已知夹断电压VPN= -1V,当vGS=1.5V时,夹断点电压对应的VDS = V。
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第4题
在下列场效应管中,无原始导电沟道的为 。
A.N沟道JFET
B.耗尽型PMOS管
C.耗尽型NMOS管
D.增强型PMOS管
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第5题
场效应管分为两大类()。
A.N沟道型和P沟道型
B.NPN型和PNP型
C.绝缘栅型和结型
D.增强型和耗尽型
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第6题
某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则该管是()。
A.N沟道结型管
B.增强型PMOS管
C.耗尽型PMOS管
D.耗尽型NMOS管
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第7题
某MOSFET当UGS=0时存在导电沟道,并且在正的栅源电压作用下,其漏极电流增大,则可以判断该场效应管的类型是()。
A.N沟道增强型MOSFET
B.P沟道增强型MOSFET
C.N沟道耗尽型MOSFET
D.P沟道耗尽型MOSFET
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第8题
耗尽型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。
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第9题
N沟道耗尽型场效应管中,漏源电压VDS越大,漏源电流IDS: 。
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第10题
某结型场效应管的夹断电压为3V,源极电位1V,栅极电位3V,漏极电位-10V,则下述关于该FET说法正确的是()。
A.P沟道管,工作在可变电阻区
B.N沟道管,工作在放大区
C.P沟道管,工作在放大区
D.N沟道管,工作在可变电阻区
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