隙卡沟的宽度

A.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体

B.室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体

C.室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体

D.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体

A.经延髓中央管通脊髓蛛网膜下隙

B.位于蛛网膜与硬脑膜之间

C.伸入到脑的所有沟、裂内

D.除脑脊液外没有任何结构

A.432m3

B.576m3

C.720m3

D.1008m3

A.面的对位接触关系

B.尖与沟的对位接触关系

C.尖与尖的对位接触关系

D.尖与窝的对位接触关系

E.尖与隙的对位接触关系

A.颊沟、近中沟、远中舌沟

B.颊沟、舌沟、近中沟、远中沟

C.颊沟、远中颊沟、舌沟、近中沟、远中沟

D.颊沟、远中沟、舌沟

E.舌沟、近中沟

A.牙冠轴面突度过大

B.牙冠轴面突度过小

C.牙冠轴面无突度

D.牙冠外展隙不明显

E.牙冠看面副沟排溢道不明显