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[单选题]

下面有关硅的叙述中,正确的是()

A.硅原子既不易失去电子又不易得到电子,主要形成四价的化合物

B.硅是构成矿物和岩石的主要元素,硅在地壳中的含量在所有的元素中居第一位

C.硅的化学性质不活泼,在自然界中可以以游离态存在

D.硅在电子工业中,是最重要的半导体材料

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D、硅在电子工业中,是最重要的半导体材料
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第1题

半导体集成电路是微电子技术的核心。下面有关集成电路的叙述中错误的是()。A.集成电路有小规模、中

半导体集成电路是微电子技术的核心。下面有关集成电路的叙述中错误的是()。

A.集成电路有小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模等多种,嵌入式处理器芯片一般属于大规模集成电路

B.集成电路的制造大约需要几百道工序,工艺复杂且技术难度非常高

C.集成电路大多在硅衬底上制作而成,硅衬底是单晶硅锭经切割、研磨和抛光而成的圆形薄片

D.集成电路中的电路及电子元件,需反复交叉使用氧化,光刻,掺杂和互连等工序才能制成

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第2题

肺硅沉着症中,硅结节的叙述不正确的是A.早期为细胞性结节B.早期分布在肺组织内C.晚期为玻璃样变

肺硅沉着症中,硅结节的叙述不正确的是

A.早期为细胞性结节

B.早期分布在肺组织内

C.晚期为玻璃样变性结节

D.其形成与患者从事的职业有关

E.其形成与吸入的SiO2颗粒大小和形状有关

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第3题

肺硅沉着症中,硅结节的叙述不正确的是

A.早期为细胞性结节

B.早期分布在肺组织内

C.晚期为玻璃样变性结节

D.其形成与患者从事的职业有关

E.其形成与吸入的Si02颗粒大小和形状有关

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第4题

肺硅沉着症中,硅结节的叙述不正确的是()

A.晚期为玻璃样变性结节

B.早期为细胞性结节

C.早期分布在肺组织内

D.其形成与患者从事的职业有关

E.其形成与吸入的SiO2颗粒大小和形状有关

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第5题

晶体是一类非常重要的材料,在很多领域都有广泛的应用。我国现已能够制出直径为300毫米的硅单晶,可用于电子产业。下列对晶体硅的叙述中正确的是()

A.形成晶体硅的速率越大越好

B.晶体硅没有固定的熔、沸点

C.可用X射线衍射实验来鉴别晶体硅和玻璃

D.晶体硅的形成与晶体的自范性有关,而与各向异性无关

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第6题

下列有关资源的叙述正确的是( )

A.海洋中含量最多的元素是氯元素

B.地壳中含量最多的金属元素是硅元素

C.沼气是一种优良的气体化石燃料

D.稀有气体约占空气总体积的0.94%

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第7题

下面关于钢材中各化学成分的叙述正确的是()。

A.锰是有益元素,弱脱氧剂,能消除硫对钢的热脆影响

B.钢结构用钢的含碳量一般不大于0.22%

C.磷元素在低温下能提高钢材强度,还能增加钢材的变形能力

D.硅是强脱氧剂,适量的硅可提高钢的强度,对变形性能无明显影响

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第8题

有关二极管的叙述错误的是()。

A、二极管是由一个PN结构成的

B、面接触型二极管极间电容大宜用于高频电路中

C、稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管

D、二极管按PN结的材料可分为硅二极管和锗二极管

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第9题

下面关于集成电路(IC)的叙述中,正确的是()。

A.集成电路是上世纪50年代出现的

B.集成电路的许多制造工序必须在恒温、恒湿、超洁净的无尘厂房内完成

C.集成电路使用的都是半导体硅(Si)材料

D.集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有密切关系

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第10题

下面关于集成电路(IC)的叙述中正确的是()。

A.集成电路是20世纪60年代出现的

B.按用途可分为通用和专用两大类,微处理器和存储器芯片都属于专用集成电路

C.现代微电子技术已经用砷化镓取代了硅

D.集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有密切关系

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第11题

下面叙述不正确的是()。

A.石英的摩氏硬度大于长石

B.地球中硅的含量高于氧的含量

C.板岩的变质程度高于片麻岩

D.角峰不是由河流侵蚀作用形成的

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