更多“由于通过降低沟道区掺杂浓度会改变阈值电压,因此需要同时采用功函数低的栅材料。()”相关的问题
第1题
下列不会加重漏致势垒降低效应的是()
A.减小沟道长度
B.增大衬底掺杂浓度
C.增大衬底偏压
D.增大栅氧化层电容
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第2题
单边突变结中,低掺杂侧的掺杂浓度越低,雪崩击穿电压越低。()
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第3题
随着工艺节点不断推进,沟道长度越来越短,阈值电压随之增大。()
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第4题
短沟道效应会引起的变化是()。
A.沟道长度减小,阈值电压增大
B.沟道长度减小,阈值电压减小
C.沟道长度减小,阈值电源不变
D.沟道长度减小,阈值电压不一定
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第5题
一般情况下,我们知道,晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。()
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第6题
MOS场效应管按导电沟道可以分为n沟道器件和p沟道器件,按栅电压为零时是否形成反型层导电沟道可以分为增强型和耗尽型。()
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第7题
由于弧柱区的电流密度高于周边区域,因此电弧静压力F推的分布是由中心轴向周边降低。()
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第8题
反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的种类、掺杂浓度和温度。半导体材料的禁带宽度越大,则ni越大,反向饱和电流就越大。()
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第9题
自耦降压起动是指通过自耦变压器在起动时降低电机电压,同时降低起动电流。一般降低为额定电压的50%-80%左右。优点是可以通过改变自耦变压器的抽头圈数方便地改变起动电压()
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第10题
在华为的切换算法中,边缘切换的判决条件不对采用功控造成的电平下降做功率补偿,因此边缘切换设置的门限应高于功控下门限。()
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