硅二极管的反向电流比锗二极管小。（)

通常硅二极管的正向压降比锗管的大，反向饱和电流比锗管的小。（)

硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。（)

二极管2DZ11是（）材料的

下列说法正确的是（)①硅二极管的死区电压是0.5V左右②锗二极管的死区电压是0.1V左右③硅二极管的死区电压是0.1左右④锗二极管的死区电压是0.5V左右

二极管2AP9是（）材料的

用万用表测量小功率二极管时，不要把万用表的旋钮拨到电阻RXl00挡测量二极管的正反向电阻值，因为R×l00挡电流较大易损坏二极管。（)

用万用表测量小功率二极管时，不要把万用表的旋钮拨到电阻R×10k挡测量二极管的正反向电阻值，因为R×10k挡电流较大易损坏二极管。（)

硅晶体二极管的正向导通压降比锗二极管的正向导通压降（）。

二极管的最大反向电流愈小愈好，反向电流过大，说明管子的单向导电性能好。（)

二极管的“反向击穿”是指当反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增。（）