更多“下列说法正确的是()①硅二极管的死区电压是0.5V左右②锗二极管的死区电压是0.1V左右③硅二极管的死区电压是0.1左右④锗二极管的死区电压是0.5V左右”相关的问题
第1题
硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右。()
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第2题
定义半导体二极管完全导通的条件是()。
A.加正向电压
B.加反向电压
C.加大于死区电压的正向电压
D.加小于死区电压的正向电压
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第3题
从二极管伏安特性曲线看,当二极管两端压降大于()时,认为二极管处于导通状态。
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第6题
在25ºC时,某二极管的死区电压Uth≈0.5V,反向饱和电流IS≈0.1pA,则在35ºC时,()组数据可能正确。
A.Uth≈0.525V,IS≈0.05pA
B.Uth≈0.525V,IS≈0.2pA
C.Uth≈0.475V,IS≈0.05pA
D.Uth≈0.475V,IS≈0.2pA
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第7题
一只二极管型号为2CW21D,其中C的含义是()。
A.N型,硅材料
B.N型,锗材料
C.P型,硅材料
D.P型,锗材料
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第8题
一只二极管型号为2CW1,其中W的含义是()。
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第9题
晶体二极管的死区电压其大小与材料及环境温度有关。()
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第10题
二极管的伏安特性是指通过二极管的电流与加在二极管两端的电压之间的关系。()
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