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第1题
下列电离形式中只产生电子，没有正离子出现的是（)。
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第2题
带电粒子的产生方式有（）
A.光电离
B.热电离
C.电极表面电离
D.碰撞电离
E.复合
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第3题
下列电离方式中属于硬电离的是（)。
A.A.基质辅助激光解吸电离
B.B.电喷雾电离
C.C.场解吸
D.D.电子电离
E.E.化学电离
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第4题
随着PN结反向电压的增加，载流子在势垒区积累的能量增加，会发生雪崩倍增效应，当（)时，雪崩倍增因子趋于无穷大，发生雪崩击穿。
A.碰撞电离率小于1
B.碰撞电离率等于1
C.碰撞电离率积分等于1
D.碰撞电离率积分小于1
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第5题
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是（)的，为（)。
A.正，电离施主杂质
B.正，电离施主杂质和空穴
C.负，电离受主杂质
D.负，电离受主杂质和电子
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第6题
电离辐射分为直接致电离辐射和间接致电离辐射两种，（)辐射是指具有足够大的动能，通过碰撞就能引起物质的分子、原子电离的带电粒子，如β粒子、质子和α粒子等。
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第7题
电离热小元素,只有在较高的温度下才能发生电离导电。（)
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第8题
（)辐射是指能够释放出直线电离粒子或引起核反应的非带电粒子，如光子（γ射线、X射线)、中子等。
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第9题
电离辐射是指由直接电离粒子和间接电离粒子组成的射线。（)
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