硅集成电路工艺中，通常采用多晶硅作为掩膜进行选择性扩散。（)

A.在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。

B.非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。

C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。

D.与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应)，但其光电转化效率随温度升高下降较慢。

A.埋层

B.外延

C.PN结

D.扩散电阻

E.隔离区