题目
A.曝光机
B.热扩散炉
C.离子注入机
D.VD
第1题
A.易于进行腐蚀加工
B.带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2
C.易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜材料
D.易于进行n型和p型掺杂
第2题
A.温度
B.厚度
C.硅晶向
D.掺杂
第3题
第4题
第5题
第6题
A.为电池的窗口层;
B.具有较高的电导率;
C.具有较宽的光学带隙;
D.通常为磷掺杂的微晶硅薄膜。
第7题
第8题
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