三极管由（)构成。

A.发射区低掺杂

B.发射区高掺杂

C.基区很薄，且掺杂浓度较低

D.基区较厚，且高掺杂

A . 可变电阻区

B . 发射区

C . 饱和区

D . 基区

E . 夹断

A.当发射极正向偏置时，从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区

B.扩散到基区的电子全被空穴复合掉了

C.外电路不断地向发射区补充电子，以维持多数载流子的浓度差

D.以上说法都错

A.集中结

B.集成结

C.集电结

D.集合结

A . 集电区掺杂浓度较大

B . 发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度

C . 基区非常薄

D . 集电结的面积比发射结的面积大

E . 集电区掺杂浓度较小

A.降低发射区与基区的方块电阻之比

B.减小基区宽度

C.减小基区自建电场因子

D.提高基区少子寿命和迁移率

A.铰链区

B.CDR区

C.恒定区

D.可变区

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流