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第1题
二极管开关状态调幅电路中,二极管的导通或截止受调制信号电压控制。()
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第2题
在桥式整流电路中,每只二极管所承受的反向峰值电压和全波整流电路中每只二极管承受反向峰值电压相等。()
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第3题
产生击穿二极管的临界电压称为二极管的反向击穿电压。()
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第4题
如果加在二极管两端的反向电压过高,二极管会被击穿。()
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第5题
二极管两端电压和电流的关系称为二极管的伏安特性。()
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第6题
在相同大小的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常高于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较差。()
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第7题
硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V,锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。()
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第8题
当二极管的外加反向电压增加到一定值时,反向电流急剧增加(反向击穿),所以二极管不能工作在反向击穿区。()
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第9题
一般来说,硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。()
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第10题
判别二极管的极性用万用表直流电压档。()
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