题目
A.由于基区很薄,电子和空穴在基区复合的概率较低
B.到达基区的电子很容易穿过集电结
C.到达基区的空穴很容易穿过发射结
D.由于基区很薄,电子和空穴在基区复合的概率较高
第1题
A.减少在基区中复合的电子数
B.使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区
C.基区中空穴的扩散长度很小
D.使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界
第2题
第3题
A.当发射极正向偏置时,从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区
B.扩散到基区的电子全被空穴复合掉了
C.外电路不断地向发射区补充电子,以维持多数载流子的浓度差
D.以上说法都错
第4题
A.发射区低掺杂
B.发射区高掺杂
C.基区很薄,且掺杂浓度较低
D.基区较厚,且高掺杂
第5题
第6题
第7题
A.降低发射区与基区的方块电阻之比
B.减小基区宽度
C.减小基区自建电场因子
D.提高基区少子寿命和迁移率
第8题
第9题
A.提高发射区的掺杂浓度
B.采用宽禁带基区材料
C.减小基区掺杂浓度
D.减少发射结复合电流
第10题
A.基区电导调制效应
B.有效基区扩展效应
C.基区宽度调制效应
D.自建电场
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