题目
A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下,硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子,其有效质量为正,位于能带顶的电子,其有效质量为负
第2题
A.随着温度的升高,短路电流密度升高,开路电压下降,但光电转换效率下降。
B.温度对开路电压的影响明显大于对短路电流的影响。
C.光照强度对短路电流的影响明显大于对开路电压的影响。
D.与晶硅太阳能电池相比,GaAs太阳能电池的禁带宽度较大,所以晶硅太阳能电池具有更好的温度特性。
第9题
A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远
第10题
A.减小低掺杂区的掺杂浓度
B.提高P区和N区的掺杂浓度
C.选用禁带宽度高的半导体材料
D.选用本征载流子浓度小的半导体材料
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