关于半导体PN结主要特性，说法错误的是()。

A.二极管整流电路利用的是PN结的单向导电特性。

B.PN结的电容效应可用于整流。

C.PN结的反向击穿特性和单向导电特性都可以用于稳压。

D.半导体材料的本征激发特性可用于制造热敏或光敏元件

A.二极管整流电路利用的是PN结的单向导电特性。

B.PN结的电容效应可用于整流。

C.PN结的反向击穿特性和单向导电特性都可以用于稳压。

D.半导体材料的本征激发特性可用于制造热敏或光敏元件

A.PN结始终具有整流特性

B.平衡PN结中，N型半导体一侧的空间电荷　区是由施主杂质离子构成的

C.正向电压作用下，PN结电容以扩散电容为主 (

D.PN结中自建电场的方向是由N区指向P区

A.放大特性

B.单向导电性

C.变压特性

D.逆变特性

A、放大特性

B、单向导电性

C、变压特性

D、逆变特性

A.PN结具有单向导电性

B.PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了反向电压

C.PN结上加反向电压时，PN结电阻很低

D.PN结在没有外加电压时，半导体中的扩散和漂移运动处于动态平衡

A．具有放大特性

B．具有改变电压特性

C．具有单向导电性

D．具有增强内电场性

A.由于PN结交界面处有电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过

B.在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其改型为P型半导体

C.PN结的伏安特性方程可以描述死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区的特性

D.因为P型半导体的多子是空穴，少子是自由电子，因此P型半导体带正电

A.pn结存在单向导电性

B.pn结中存在空间电荷区

C.pn结能够被击穿

D.pn结的费米能就是n型半导体和p型半导体的费米能

A、PN结是P型，N型半导体混合制成的

B、PN结是P型，N型半导体相接触形成的

C、PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成的

D、PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的