题目
A.按照控制图判异准则,过程失控,参数优化失败
B.B过程均值发生了显著变化
C.过程方差显著增大,需要重新计算控制限
D.过程方差显著减小,需要重新计算控制限
第1题
A.如果每次取2~7个晶体坯,最好用均值一极差控制图
B.如果每次抽取7个以上的晶体坯,最好用均值一极差控制图
C.如果每次抽取7个以上的晶体坯,最好用均值一标准差控制图
D.如果抽样间隔期不变,采用单值一移动极差控制图的检出力(功效)最低
第2题
A.按照控制图判异准则,过程失控,参数优化失败
B.过程均值发生了显著变化
C.过程方差显著增大,需要重新计算控制限
D.过程方差显著减少,需要重新计算控制限
第3题
A.如果每次抽取2-4个晶体坯,最好用均值-极差控制图
B.如果每次抽取7个以上的晶体坯,最好用均值-极差控制图
C.如果每次抽取7个以上的晶体坯,最好用均值-标准差控制图
D.如果抽样间隔期不变,采用单值-移动极差控制图的检出力(功效)最低
第4题
A.如果每次抽取2-6个晶体坯,最好用均值-极差控制图
B.如果每次抽取7个以上的晶体坯,最好用均值-极差控制图
C.如果每次抽取7个以上的晶体坯,最好用均值-标准差控制图
D.如果抽样间隔期不变,采用单值-移动极差控制图的检出力(功效)最低
第5题
A.变异来源不仅包含随机误差。此时,必须等待清除组间变异变大的情况后,才能使用SPC;
B.其实只要将每小时芯片镀膜厚度之均值求出,对48个数据绘制单值一移动极差(X一MR)控制图即可;
C.求出各小时芯片镀膜厚度之均值,对之绘制单值一移动极差(X一八妞)控制图外,再绘制各小时的极差(R)控制图,三张控制图同时使用即可控制过程;
D.解决此类问题的最好方法是使用EWMA控制图;
第6题
A.变异来源不仅包含随机误差。此时,必须等待清除组间变异变大的情况后,才能使用 SPC
B.其实只要将每小时芯片镀膜厚度之均值求出,对48个数据绘制单值一移动极差(X一 MR)控制图即可
C.求出各小时芯片镀膜厚度之均值,对之绘制单值一移动极差(X 一八妞)控制图外,再绘制各小时的极差(R)控制图,三张控制图同时使用即可控制过程
D.解决此类问题的最好方法是使用EWMA控制图
第7题
A.变异来源不仅包含随机误差。此时,必须等待清除组间变异变大的情况后,才能使用SPC
B.其实只要将每小时芯片镀膜厚度之均值求出,对48个数据绘制单值一移动极差(I-MR)控制图即可
C.求出各小时芯片镀膜厚度之均值,对之绘制单值一移动极差(X-MR)控制图外,再绘制各小时的极差(R)控制图,三张控制图同时使用即可控制过程
D.解决此类问题的最好方法是使用EWMA控制图
第8题
某厂加工连接轴,为控制其直径,应采用()。
A.不合格品率p控制图
B.均值一极差控制图
C.不合格数c控制图
D.不合格品数np控制图
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