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[单选题]

制造二极管、三级管的主要半导体材料是()。

A.锗和硅

B.铝

C.铁

D.镁

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更多“制造二极管、三级管的主要半导体材料是()。”相关的问题

第1题

制造二极管、三极管的主要半导体材料是()。

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第2题

下列说法不正确的是()

A.光纤利用电信号传递信息,具有抗干扰的特点

B.由半导体材料制成的二极管,具有单向导电性

C.纳米材料的出现为人们制造微小机器提供了物质基础

D.饮水机的指示灯是一个发光二极管,是由半导体材料制成的

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第3题

有关二极管的叙述错误的是()。

A、二极管是由一个PN结构成的

B、面接触型二极管极间电容大宜用于高频电路中

C、稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管

D、二极管按PN结的材料可分为硅二极管和锗二极管

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第4题

以下关于PN结特性的说法错误的是

A.二极管整流电路利用的是PN结的单向导电特性。

B.PN结的电容效应可用于整流。

C.PN结的反向击穿特性和单向导电特性都可以用于稳压。

D.半导体材料的本征激发特性可用于制造热敏或光敏元件

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第5题

以下关于PN结特性的说法错误的是()。

A.二极管整流电路利用的是PN结的单向导电特性。

B.PN结的电容效应可用于整流。

C.PN结的反向击穿特性和单向导电特性都可以用于稳压。

D.半导体材料的本征激发特性可用于制造热敏或光敏元件

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第6题

根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。 如利用PN结的单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管;利用PN结的击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管;使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件
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第7题

根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。 如利用PN结的单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管;利用PN结的击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管;使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。
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第8题

利用PN结的单向导电性,可以用来制造半导体二极管()
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第9题

半导体产业链可以大致分为设备、材料、设计等上游环节、中游晶圆制造,以及下游封装测试等三个主要环节()
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