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第1题
根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。 如利用PN结的单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管;利用PN结的击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管;使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。
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第2题
雪崩击穿电压和PN结的掺杂浓度及构成PN结的材料有关,材料的禁带宽度越高,越不易击穿。
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第3题
雪崩击穿电压和PN结的掺杂浓度及构成PN结的材料有关,材料的禁带宽度越高,越不易击穿
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第4题
无外加电压偏置的情况下,在掺杂PN结内部,由于两端载流子浓度差的存在,会出现______电流
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第5题
下列影响pn结势垒高度的因素包括:
A.pn结两边的掺杂浓度。
B.温度。
C.pn结材料的禁带宽度。
D.正向偏压的大小。
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第6题
正向偏置电压使PN结空间电荷区窄,反向偏置电压使PN结空间电荷区变宽
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第7题
正向偏置电压使PN结空间电荷区窄,反向偏置电压使PN结空间电荷区变宽。
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第8题
【填空题】PN结正向偏置时(),反向偏置时()。
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第9题
【填空题】PN结正向偏置时(),反向偏置时()
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第10题
【填空题】PN结正向偏置时(),反向偏置时()。
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第11题
当PN结加正向电压(正向偏置)时,PN结内电场减小
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