在CMOS电路中采用图（a)～（d)所示的扩展功能用法，试分析各图的逻辑功能，写出Y1～Y4的逻辑表达式。已知电源电压V

在CMOS门电路中，有时采用图3．5．5所示的方法扩展输入端。试分析图中(a)，(b)所示电路的逻辑功能，写出Y的逻辑表达式。假定VDD=10 V，二极管的正向导通压降VD=0．7 V。

电路,判断4个电路能否正常工作.

在图(a)所示的施密特触发器电路中，已知R₁=10kΩ，R₂=30kΩ。G₁和G₂为CMOS反相器，V_DD=15V。

(1)试计算电路的正向阈值电压V_T+、负向阈值电压V_T+和回差电压△V_T。

(2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端，试画出输出电压的波形。

在图P2.13所示各电路中，要实现相应表达式规定的逻辑功能，电路连接上各有什么错误？请改正之。

(1)电路中所示均为TTL门电路;

(2)电路中所示均为CMOS门电路。

在图10.2所示的用CMOS反相器组成的施密特触发电路中，若R₁=50kΩ，R₂=100 kQ，V_DD=5V，，试求电路的输入转换电平V_T+、V_T-以及回差电压△V_T。

在图P10.3(a)所示的施密特触发器电路中,已知R₁=10kΩ,R₂=30kΩ.G₁和G₂为CMOS反相器.

(1)试计算电路的正向阈值电压、负向阈值电压和回差电压.

(2)若将图P10.3(b)给出的电压信号加到图P10.3(a)电路的输人端,试画出输出电乐的波形.

在图10．3．12所示的施密特触发器构成的多谐振荡器中，已知CMOS集成施密特触发器的VDD=15V，VT+=9V，VT-=4V，R=10 kΩ，C=0．01μF，试求该电路的振荡周期。

在图题10-1所示的电路中，已知R1=10kΩ, R2=30kΩ,其中CMOS非门电路的电源电压Vcc=6V。

①计算该电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。

②画出该电路的传输特性曲线。

③画出图示波形输入下的输出电压Vo波形。

出二个脉冲)，试画出电路在CP脉冲作用下，Q1、Q 2、Z各点波形。设初态Q1=Q2=“0”。

图2.3.5所示电路中，(a)图中的G₁、G₂均为CMOS门电路；(b)图中G₁、G₂和G₃均为TTL门电路，G₄为CMOS门电路。试写出Y₁和Y₂的逻辑表达式。