某晶体管的rbb'=70Ω，IE=1mA，α0=0.95，fα=500MHz，求在室温19°、通频带为200kHz时，此晶体管在频率为10MHz时的各

3DG6C型晶体管在V_CE=10V，I_E=1mA时的f_T=250MHz，又r_hb'=70Ω，C_b'c=3pF，β₀=50，R_cc忽略不计。求该管在频率为10MHz时的共发电路的y参数。

已知晶体管β=99，IE=1mA，ICBO=0，则IB=（)，IC=（)。

用晶体管CG30做一个30MHz中频放大器,当V_CE=8V,I_E=1mA时,其y参数是；y_ie=(2.86+j3.4)mS；y_re=(0.08 -j0.3)mS；y_fe=(26.4-j36.4)mS；y_oe=(0.2+j1.3)mS。试求此放大器的稳定电压增益，要求稳定系数S=5。

硅NPN晶体管在300K时具有如下参数：I_E=1mA，C_TE=1_pF，x_B=0.5μm，

D_n=25cm²/s，x_m=2.4μm，r_SC=20Ω，C_TC=0.2pF．求发射区集电区渡越时间和截止频率．

0=100，L的匝数N=20，接入系数p1=p2=0．3。晶体管T1的主要参数为：fT≥250 MHz，rbb=70 Ω，Cbc≈3 pF，yie=(0．15+j1．45)mS，yoe=(0．082+j0．73)mS，yfe=(38-j4．2)mS。静态工作点电流由R1、R2、R3决定，现IE=1 mA，对应的β0=50。求： 1)单级电压增益Av0； 2)单级通频带2△f0.7； 3)四级总电压增益(Av0)4； 4)四级总通频带(2△f0.7)4； 5)如四级通频带(2△f0.7)4保持和单级时的通频带2△f0.7相同，则此时单级的通频带应加宽多少？四级的总增益下降多少？

A.0.98

B.1.02

C.0.8

D.1.2

A.0.8

B.1.02

C.0.98

D.1.2

A．50uA

B．1mA

C．0.95mA

D．1.05mA

A.1.02

B.1.2

C.0.98

D.0.8