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[主观题]

已知发射效率为0.95,基区输运系数为0.99 1)求该晶体管的共基极直流电流放大系数和共射极直流电流放大系数 2)若Ie=1mA,求基极电流和集电极电流

答案
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更多“已知发射效率为0.95,基区输运系数为0.99 1)求该晶体管的共基极直流电流放大系数和共射极直流电流放大系数 2)若Ie=1mA,求基极电流和集电极电流”相关的问题

第1题

下列关于三极管的电流放大系数,描述错误的是()。

A.三极管的共射极直流电流放大系数β ̅和共射极交流电流放大系数β,近似相等,工程近似分析计算中,可相互替代。

B.三极管的共射极直流电流放大系数β ̅和共射极交流电流放大系数β,为描述三极管电流放大特性的不同物理量。

C.三极管的共射极电流放大系数β和共基极电流放大系数α的相互关系为:β=α/(1+α)

D.三极管的共基极电流放大系数α和共射极电流放大系数β的相互关系为:α=β/(1+β)

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第2题

下列关于三极管的电流放大系数,描述错误的是()。

A.三极管的共射极直流电流放大系数β ̅和共射极交流电流放大系数β,近似相等,工程近似分析计算中,可相互替代。

B.三极管的共射极直流电流放大系数β ̅和共射极交流电流放大系数β,为描述三极管电流放大特性的不同物理量。

C.三极管的共射极电流放大系数β和共基极电流放大系数α的相互关系为:β=α/(1+α)

D.三极管的共基极电流放大系数α和共射极电流放大系数β的相互关系为:α=β/(1+β)

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第3题

三流分配关系中以IB为已知量时β是什么()。

A.共基极电流放大系数

B.共阴极电流放大系数

C.共阳极电流放大系数

D.共射极电流放大系数

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第4题

2.如一晶体管的共射极电流放大系数β=150,基极电流IB=15uA,晶体管工作在线性区。请求出集电极电流IC为 ,发射极电流IE为 共基极电流放大系数α为 。
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第5题

三流分配关系中以IE为已知量时α是什么()。

A.基极电流放大系数

B.共阴极电流放大系数

C.共阳极电流放大系数

D.共射极电流放大系数

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第6题

共射极直流电流放大系数的大小就等于集电极电流与基极电流的比值
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第7题

3、共射极直流电流放大系数的大小就等于集电极电流与基极电流的比值
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第8题

(1)若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示,请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE=5×10(^18)/CM(^3),基区掺杂浓度NB=1×10(^16)/CM(^3) 发射区宽度XE=0.20μm, 基区宽度XB=0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM(^2)/S,基区少子扩散系数DB=25CM(^2)/S 发射区少子寿命τE0=1×10(^-7)/S, 基区少子寿命τB0=5×10(^-7)/S (2)实际生产中,工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管,如果不考虑其他参数的分散性,只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间,请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
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第9题

设计晶体管电流放大系数时,通常采用使注入效率等于基区输运系数的方案确定发射区和基区的结构参数。设均匀掺杂晶体管的发射区和基区少子扩散系数均等于10cm(^2)/S,少子寿命等于10(^-7)/S (1) 如果要求电流放大系数β0不小于100,则要求发射区Gummel数至少是基区Gummel数的多少倍?基区宽度不能大于多少? (2)如果要求电流放大系数β0不小于1000,则要求发射区Gummel数至少是基区Gummel数的多少倍?基区宽度不能大于多少?
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第10题

14、对于双极型晶体管,共发射极电流放大系数截止频率比共基极电流放大系数截止频率低得多。()
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第11题

(1)若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示,请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE=5×10(^18)/CM(^3),基区掺杂浓度NB=1×10(^16)/CM(^3) 发射区宽度XE=0.20μm, 基区宽度XB=0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM(^2)/S,基区少子扩散系数DB=25CM(^2)/S 发射区少子寿命τE0=1×10(^-7)/S, 基区少子寿命τB0=5×10(^-7)/S (2)实际生产中,工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管,如果不考虑其他参数的分散性,只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间,请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
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