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MOS集成电路集成度低。()

MOS集成电路集成度低。()

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第1题

MOS集成电路的特点是()

A.集成度高

B.功耗低

C.工作速度高

D.驱动能力强

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第2题

TTL集成电路工作速度()、驱动能力(),但功耗()、集成度();MOS集成电路集成度()、静态功耗()。
TTL集成电路工作速度()、驱动能力(),但功耗()、集成度();MOS集成电路集成度()、静态功耗()。

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第3题

内存储器存储正在运行的程序和程序所需的数据,下列关于内存储器说法正确的是()

A.内存速度用进行一次读或写操作所花费的“访问时间”来描述

B.DRAM的主要参数有两个:存储容量和工作频率,工作频率反映了存储器读写单元的速度

C.动态存储器(DRAM)集成度低,生产成本高,一般用在比内存小得多的高速缓冲存储器等场合

D.断电后RAM中的内容全部丢失,目前使用的RAM多数为MOS型半导体集成电路

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第4题

下列电路属于单极型器件集成的应是().

A.TTL集成电路

B.HTL集成电路

C.MOS集成电路

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第5题

MOS集成门电路是绝缘栅场效应管组成的集成电路。()
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第6题

从制造工艺上考虑,双极型的存储器比MOS型的存储器功耗低,集成度高。
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第7题

从制造工艺上考虑,双极型的存储器比MOS型的存储器功耗低,集成度高。
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第8题

从制造工艺上考虑,双极型的存储器比MOS型的存储器功耗低,集成度高。
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