MOS集成电路的特点是()

A.集成度高

B.功耗低

C.工作速度高

D.驱动能力强

MOS集成电路集成度低。()

A.内存速度用进行一次读或写操作所花费的“访问时间”来描述

B.DRAM的主要参数有两个：存储容量和工作频率，工作频率反映了存储器读写单元的速度

C.动态存储器(DRAM)集成度低，生产成本高，一般用在比内存小得多的高速缓冲存储器等场合

D.断电后RAM中的内容全部丢失，目前使用的RAM多数为MOS型半导体集成电路

和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是()。

A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大

B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小

C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小

D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大

A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大

B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小

C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小

D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大

A.速度快

B.不要刷新

C.可靠性高

D.集成度高

A.编程使用面向对象程序设计语言

B.发展计算机网络

C.内存储器采用集成度越来越高的半导体存储器

D.使用中小规模集成电路

A.可靠

B.小型

C.高速

D.非接触

A.速度快

B.速度慢

C.集成度高

D.容量大