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集中刷新方式有死区,异步刷新方式没有死区。()

集中刷新方式有死区,异步刷新方式没有死区。()

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第1题

有一64K × 16位的存储器,用4K × 1位的DRAM芯片构成(内部结构64× 64)。读写周期为0.5us。问:()总共需要多少DRAM芯片?()如采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少?()如采用集中刷新方式,对全部存储单元刷新一遍,最少需要多少读/写周期?死区率是多少
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第2题

有一16K × 16位的存储器,用4K × 1位的DRAM芯片构成(内部结构64× 64)。读写周期为0.5ms。问: (1)总共需要多少DRAM芯片? (2)如采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少?(3)如采用集中刷新方式,对全部存储单元刷新一遍,最少需要多少读/写周期?死区率是多少?
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第3题

有一64K × 16位的存储器,用4K × 1位的DRAM芯片构成(内部结构64× 64)。读写周期为0.5us。问: (1)总共需要多少DRAM芯片? (2)如采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? (3)如采用集中刷新方式,对全部存储单元刷新一遍,最少需要多少读/写周期?死区率是多少?
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第4题

有一16K × 16位的存储器,用4K × 1位的DRAM芯片构成(内部结构64× 64)。读写周期为0.5ms。问:()总共需要多少DRAM芯片?()如采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少?()如采用集中刷新方式,对全部存储单元刷新一遍,最少需要多少读/写周期?死区率是多少
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第5题

11、下列关于动态存储器刷新方式,错误的表述是()

A.按芯片存储单元的矩阵进行刷新,每个存储单元逐一分别刷新。

B.刷新本质上是对存储单元进行数据重写,由刷新电路自动执行。

C.刷新1行的时间称为刷新周期,它由芯片矩阵的行数和最大刷新间隔决定。

D.集中刷新的缺点是容易形成内存访问的时间死区,异步刷新既可以避免访存死区,还能提高刷新操作安排的灵活性。

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第6题

动态RAM的异步刷新方式没有读写死区。()
动态RAM的异步刷新方式没有读写死区。()

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第7题

动态RAM常用的三种刷新方式中不包括___

A.静态刷新

B.集中刷新

C.分散刷新

D.异步刷新

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