有一64K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成（内部结构64× 64）。读写周期为0.5us。问：（）总共需要多少DRAM芯片？（）如采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？（）如采用集中刷新方式，对全部存储单元刷新一遍，最少需要多少读/写周期？死区率是多少

用128Kx8位的DRAM芯片，设计1024Kx32位的存储器，需要多少个DRAM芯片

假定内存条容量为512MB，由8个64Mx8位的DRAM芯片组成，每个DRAM芯片的存储体阵列有8个位平面，则该DRAM芯片的地址引脚个数为（）。

有一64K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成（内部结构64× 64）。读写周期为0.5us。问： （1）总共需要多少DRAM芯片？ （2）如采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ （3）如采用集中刷新方式，对全部存储单元刷新一遍，最少需要多少读/写周期？死区率是多少？

有一16K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成（内部结构64× 64）。读写周期为0.5ms。问： （1）总共需要多少DRAM芯片？ （2）如采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？（3）如采用集中刷新方式，对全部存储单元刷新一遍，最少需要多少读/写周期？死区率是多少？

用1M*4的DRAM芯片通过（）扩展可以获得4M*8的存储器。

用1M*4的DRAM芯片通过（）扩展可以获得4M*8的存储器。

有一个16K*16位的存储器，由1K*4位的DRAM芯片构成，共需要（）片DRAM芯片。

某机器的主存共32KB，由16片16K x 1位（内部采用128x128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个刷新操作周期

某机器的主存共32KB，由16片16K x 1位（内部采用128x128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个刷新操作周期