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[主观题]

电荷分布如图2-3所示.试证明,在r>>1处的电场为.

电荷分布如图2-3所示.试证明,在r>>1处的电场为电荷分布如图2-3所示.试证明,在r>>1处的电场为.电荷分布如图2-3所示.试证明,在r>>1处的.电荷分布如图2-3所示.试证明,在r>>1处的电场为.电荷分布如图2-3所示.试证明,在r>>1处的

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第1题

如图 5-44(a)所示,半径为R的均勾带电球面,带有电荷Q,沿某一半径方向上有一均匀带电细线,电荷

如图 5-44(a)所示,半径为R的均勾带电球面,带有电荷Q,沿某一半径方向上有一均匀带电细线,电荷线密度为如图 5-44(a)所示,半径为R的均勾带电球面,带有电荷Q,沿某一半径方向上有一均匀带电细线,电荷,长度为I,细线左端离球心距离为a.设球和线上的电荷分布不受相互作用影响,试求细线所受球面电荷的电场力和细线在该电场中的电势能(设无穷远处的电势为零)。

如图 5-44(a)所示,半径为R的均勾带电球面,带有电荷Q,沿某一半径方向上有一均匀带电细线,电荷

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第2题

有两根半径都是r的“无限长”直导线,彼此平行放置,两者轴线的距离是d(d≥2r),沿轴线方向单位长度上分别带有+λ和-λ的电荷,如图5-40所示。设两带电导线之间的相互作用不影响它们的电荷分布,试求两导线间的电势差。

有两根半径都是r的“无限长”直导线,彼此平行放置,两者轴线的距离是d(d≥2r),沿轴线方向单位长度

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第3题

如图x12.2所示,设有向量X[0,m+r)和Y[0,r+n),且满足:对于任何0≤j<r,都有Y[j]≤X[m+j]。试证明,在X

如图x12.2所示,设有向量X[0,m+r)和Y[0,r+n),且满足:对于任何0≤j<r,都有Y[j]≤X[m+j]。

如图x12.2所示,设有向量X[0,m+r)和Y[0,r+n),且满足:对于任何0≤j<r,都有Y[

试证明,在X和Y分别(按非降次序)排序并转换为X'和Y'之后(如图x12.3的实例所示),对于任何0≤j<r依然有Y'[j]≤X'[m+j]成立。

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第4题

如图7-25所示,两个直流电源并联给负载电阻R供电,其中r1和r2分别为电源的内电阻。试证明:电源对

如图7-25所示,两个直流电源并联给负载电阻R供电,其中r1和r2分别为电源的内电阻。试证明:电源对负载电阻供电的等效电动势如图7-25所示,两个直流电源并联给负载电阻R供电,其中r1和r2分别为电源的内电阻。试证明:电源对,等效内电阻为如图7-25所示,两个直流电源并联给负载电阻R供电,其中r1和r2分别为电源的内电阻。试证明:电源对.

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第5题

如图7—21所示,一半径为R的均匀带电球面,电量为Q,沿半径方向上有一均匀带电细线,电荷线密度为λ,长度为l,细线

近端离球心的距离为l。设球和细线上的电荷分布固定,求细线在电场中的电势能。

如图7—21所示,一半径为R的均匀带电球面,电量为Q,沿半径方向上有一均匀带电细线,电荷线密度为λ,

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第6题

如图,电荷分布在内半径为a外半径为b的球壳体内,电荷体密度为ρ=A/r,式中A是常数,r是壳体内某一点到球心的距

如图,电荷分布在内半径为a外半径为b的球壳体内,电荷体密度为ρ=A/r,式中A是常数,r是壳体内某一点到球心的距离。今在球心放一个点电荷Q,为使球壳体内各处电场强度的大小都相等,试求A的值。

如图,电荷分布在内半径为a外半径为b的球壳体内,电荷体密度为ρ=A/r,式中A是常数,r是壳体内某一

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第7题

如图6-31所示,中性金属球A,半径为R,它离地球很远。在与球心O相距分别为a与b的B 、C两点,分别放

如图6-31所示,中性金属球A,半径为R,它离地球很远。在与球心O相距分别为a与b的B 、C两点,分别放上电荷为qA和qB的点电荷,达到静电平衡后,问:

(1)金属球A内及其表面有电荷分布吗?

(2)金属球A中的P点处电势为多大? (选无穷远处为电势零点)

如图6-31所示,中性金属球A,半径为R,它离地球很远。在与球心O相距分别为a与b的B 、C两点,分

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第8题

半径为R的均匀带电球面,其电量为Q,沿半径方向上有一均匀带电细线,线电荷密度为λ,长度为L细线
近端离球心的距离为L,如图3.21所示,设球和细线上的电荷分布固定,求细线在电场中的电势能。

半径为R的均匀带电球面,其电量为Q,沿半径方向上有一均匀带电细线,线电荷密度为λ,长度为L细线近端离

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第9题

电路如图题5.5.2所示,设两个FET的参数完全相同。试证明: (1)电压增益为(提示:μ=gmrds)(2)输出
电路如图题5.5.2所示,设两个FET的参数完全相同。试证明: (1)电压增益为(提示:μ=gmrds)(2)输出

电路如图题5.5.2所示,设两个FET的参数完全相同。试证明: (1)电压增益为(提示:μ=gmrds)

电路如图题5.5.2所示,设两个FET的参数完全相同。试证明: (1)电压增益为(提示:μ=gmrd

(2)输出电导为

电路如图题5.5.2所示,设两个FET的参数完全相同。试证明: (1)电压增益为(提示:μ=gmrd

(3)如果R1=R2=R,试求AU和Ro.

电路如图题5.5.2所示,设两个FET的参数完全相同。试证明: (1)电压增益为(提示:μ=gmrd

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第10题

如习题1.6图所示,电荷分布在半径为R的半圆环上,线电荷密度为0sin, 0名为常数,为半径OB和直径AC

如习题1.6图所示,电荷分布在半径为R的半圆环上,线电荷密度为如习题1.6图所示,电荷分布在半径为R的半圆环上,线电荷密度为0sin, 0名为常数,为半径OB和直0sin如习题1.6图所示,电荷分布在半径为R的半圆环上,线电荷密度为0sin, 0名为常数,为半径OB和直, 0名为常数,如习题1.6图所示,电荷分布在半径为R的半圆环上,线电荷密度为0sin, 0名为常数,为半径OB和直为半径OB和直径AC间的夹角.证明AC上任一点的电场强度都与AC垂直.

如习题1.6图所示,电荷分布在半径为R的半圆环上,线电荷密度为0sin, 0名为常数,为半径OB和直

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