更多“分批式液相外延法的独特优势为可进行 ,即在每次生长工艺前将高纯冶金级硅熔于坩埚中,而不使用电子级硅作为硅源材料。”相关的问题
第1题
分批式液相外延法的独特优势为可进行 ,即在每次生长工艺前将高纯冶金级硅熔于坩埚中,而不使用电子级硅作为硅源材料。
点击查看答案
第2题
分批式液相外延法的独特优势为可进行 ,即在每次生长工艺前将高纯冶金级硅熔于坩埚中,而不使用电子级硅作为硅源材料。
点击查看答案
第3题
外延工艺常用的硅源有四氯化硅 SiCl4,三氯硅烷 SiHCl3,二氯硅烷SiH2Cl2 ,硅烷SiH4,二硅烷Si2H6。请对这五种硅源外延时的生长温度高低排序?同样外延条件下,哪种源外延生长速率最快?
点击查看答案
第4题
如果外延速率偏低,只要增大外延气体中硅源(如SiCl4)浓度,硅的气相外延速率就会增加。
点击查看答案
第5题
如果外延速率偏低,只要增大外延气体中硅源(如SiCl4)浓度,硅的气相外延速率就会增加。
点击查看答案
第6题
如果外延速率偏低,只要增大外延气体中硅源(如SiCl4)浓度,硅的气相外延速率就会增加。
点击查看答案
第7题
如果外延速率偏低,只要增大外延气体中硅源(如SiCl4)浓度,硅的气相外延速率就会增加。
点击查看答案