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[单选题]

欲在一批小尺寸的基板上用点蒸发源蒸发法沉积厚度一致的薄膜,基板相对于蒸发源应该怎样放置

A.与蒸发源平行的平面上

B.以蒸发源为球心的球面(圆周)上

C.与蒸发源垂直的平面上

D.以蒸发源为球心的球半径上

答案
B、以蒸发源为球心的球面(圆周)上
更多“欲在一批小尺寸的基板上用点蒸发源蒸发法沉积厚度一致的薄膜,基板相对于蒸发源应该怎样放置”相关的问题

第1题

欲在一批小尺寸的基板上用点蒸发源蒸发法沉积厚度一致的薄膜,基板相对于蒸发源应该怎样放置?

A.与蒸发源平行的平面上

B.以蒸发源为球心的球面(圆周)上

C.与蒸发源垂直的平面上

D.以蒸发源为球心的球半径上

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第2题

沉积YCu3合金薄膜需将Y、Cu制成两个点状蒸发源,如果将Y蒸发源加热到1740 K能产生10-3 torr(0.133 Pa)的平衡蒸气压Pv,求Y元素的蒸发速率Φm(分子/cm2s)。同时,为了保持薄膜的化学成分,将Cu蒸发源加热到1460 K时产生的平衡蒸汽压需为多少。(原子量:Y=89,Cu=64,)
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第3题

10、共蒸发法包括哪些过程。()

A.加热蒸发过程

B.气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运

C.蒸发原子或分子在基片表面的沉积过程

D.以上都正确

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第4题

薄膜式热电偶是用真空蒸镀、离子镀或磁控溅射的方法,把热电极材料蒸镀在很薄的绝缘基板(陶瓷片或云母片)上,两种相同的金属薄膜形成了热电偶。
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第5题

蒸镀制膜主要包括的物理阶段

A.淀积材料蒸发或升华为气态

B.原子从蒸发源输运到基片

C.蒸气粒子在基片上沉积

D.粒子在基片表面重排凝结成膜

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第6题

7、下列方法可用来沉积硒化锑薄膜的有()。

A.溅射法

B.蒸发法

C.快速热蒸发法

D.蒸汽传输沉积法

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第7题

PLD沉积合金薄膜时比蒸发的成分可控性要好。
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第8题

PLD沉积合金薄膜时比蒸发的成分可控性要好。
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第9题

碳纳米管的制备方法常见的主要有三种:

A.电弧放电法、PVD和激光蒸发法

B.SPS、化学气相沉积法和激光蒸发法

C.PVD、化学气相沉积法和激光蒸发法

D.化学气相沉积法和激光蒸发法

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第10题

碳纳米管的制备方法常见的主要有三种:

A.电弧放电法、PVD和激光蒸发法

B.SPS、化学气相沉积法和激光蒸发法

C.PVD、化学气相沉积法和激光蒸发法

D.化学气相沉积法和激光蒸发法

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