题目
第1题
A.SRAM,查找表
B.熔丝,与或阵列
C.flash,查找表
D.反熔丝,与或阵列
第2题
A.CPLD器件内部为SRAM工艺,断电后编程信息立即丢失。
B.FPGA器件为EEPROM或FLAsH工艺,被编程后断电非易失。
C.CPLD器件为分段式互连结构,内部延时与器件结构和逻辑连接等有关,因此传输时延不可预测
D.CPLD器件为连续式互连结构,内部各模块之间具有固定时延的快速互连通道,可预测延时
第3题
第4题
第5题
第6题
第7题
第8题
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