题目
第1题
A.磁各向异性效应,使乙烯质子处在正屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区
B.磁各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在正屏蔽区
C.局部屏蔽效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在正屏蔽区
D.磁各向异性效应,使乙烯质子处在正屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区
第2题
A.化学位移δ越小,则说明屏蔽弱,共振需要的磁场强度小,在谱图低场出现。
B.一般选取的基准物质是四甲基硅烷。
C.芳环上的质子化学位移一般位于6.5~8.5。
D.相互偶合的质子,其偶合常数J相等。
第3题
A.大。因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区
B.大。因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区
C.小。因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区
D.小。因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区
第6题
A.环状烯烃会形成环流效应,在环内产生去屏蔽区,环内H的化学位移增大
B.炔氢处于C≡C键轴方向,受到强烈的屏蔽效应,因此相对烯氢在高场出峰
C.环状烯烃会形成环流效应,在环外产生屏蔽区,环外H的化学位移减小
D.炔氢处于C≡C键轴方向,受到强烈的去屏蔽效应,因此相对烯氢在低场出峰
第7题
第8题
A.-CHO中氢的位移最大
B.临近醛基的烯氢,屏蔽常数大于末端烯氢
C.临近醛基的烯氢的位移最大
D.末端烯氢的化学位移最大
第10题
A.屏蔽效应增强,化学位移值增大,峰向高场位移
B.屏蔽效应减弱,化学位移值增大,峰向高场位移
C.屏蔽效应增强,化学位移值减小,峰向高场位移
D.屏蔽效应增强,化学位移值增大,峰向低场位移
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