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第1题
49、在一定温度下对显影后的硅片进行烘焙，除去显影时胶膜所吸收的显影液和残留水分，该工序称为： 。
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第2题
在一定温度下对显影后的硅片进行烘焙，除去显影时胶膜所吸收的显影液和残留水分，该工序称为
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第3题
在一定温度下对显影后的硅片进行烘焙，除去显影时胶膜所吸收的显影液和残留水分，该工序称为： 。
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第4题
在一定温度下对显影后的硅片进行烘焙，除去显影时胶膜所吸收的显影液和残留水分，该工序称为
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第5题
5、显影时，显影液的温度设置在（）℃为宜。
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第6题
4、在半导体制造工艺的光刻工艺中，带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序，“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么？
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第7题
18、光刻工艺首先要对硅片进行预处理，主要包括： 。
A.平整度和清洁度的检查
B.清洗
C.烘焙
D.增粘初六
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第8题
影响印版显影效果的主要因素只有显影液浓度。
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第9题
49、基尔霍夫定律表明，在任何情况下辐射的吸收比总是等于其同温度下的发射率，即a=e。
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第10题
气相成底膜的工艺步骤是：①硅片清洗、②硅片成底膜、③脱水烘焙，以下选项排列正确的是（）。
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第11题
气相成底膜的工艺步骤是：①硅片清洗、②硅片成底膜、③脱水烘焙，以下选项排列正确的是
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