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第1题
当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄;当PN结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。
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第2题
当PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 ;当PN结外加反向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。 A、大于, B、小于, C、等于, D、变宽, E、变窄, F、不变
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第3题
当PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 ;当外加反向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。
A.大于,变宽,小于,变窄;
B.大于,变窄,小于,变宽;
C.小于,变窄,大于,变宽;
D.小于,变宽,大于,变窄。
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第4题
当PN结外加正向电压时,扩散电流________漂移电流。
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第5题
单项选择题: 在PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 不确定
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第6题
单项选择题: 在PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 不确定
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第7题
【单选题】在PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流。
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第8题
光电检测器是外加反向偏压的PN结,当入射光作用时,发生受激吸收产生 光生电子-空穴对,这些电子-空穴对在耗尽层内建电场作用下形成漂移电流,同时在耗尽层两侧部分电子-空穴对由于扩散运动进入耗尽层,在电场作用下形成扩散电流,这两部分电流之和为光生电流。
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第9题
光电检测器是外加反向偏压的PN结,当入射光作用时,发生受激吸收产生 光生电子-空穴对,这些电子-空穴对在耗尽层内建电场作用下形成漂移电流,同时在耗尽层两侧部分电子-空穴对由于扩散运动进入耗尽层,在电场作用下形成扩散电流,这两部分电流之和为光生电流。
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第10题
当一个Si材料PN结外加反向电压时,它的耗尽层变宽,势垒增强。因此,其扩散电流为()
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