题目
第1题
A.屏蔽效应增强,化学位移值增大,峰向高场位移
B.屏蔽效应减弱,化学位移值增大,峰向高场位移
C.屏蔽效应增强,化学位移值减小,峰向高场位移
D.屏蔽效应增强,化学位移值增大,峰向低场位移
第3题
A.环状烯烃会形成环流效应,在环内产生去屏蔽区,环内H的化学位移增大
B.炔氢处于C≡C键轴方向,受到强烈的屏蔽效应,因此相对烯氢在高场出峰
C.环状烯烃会形成环流效应,在环外产生屏蔽区,环外H的化学位移减小
D.炔氢处于C≡C键轴方向,受到强烈的去屏蔽效应,因此相对烯氢在低场出峰
第4题
A.钻穿效应使得电子能量升高
B.屏蔽作用使电子能量降低
C.对于某一电子,钻穿效应越大,则该电子受到其他电子的屏蔽作用越小。
D.l不同时,l取值越小,其钻穿能力越弱。
第6题
A.核外电子云密度减弱,化学位移值增大,峰在高场出现
B.核外电子云密度减弱,化学位移值增大,峰在低场出现
C.核外电子云密度增强,化学位移值减小,峰在高场出现
D.核外电子云密度增强,化学位移值减小,峰在低场出现
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