【单选题】抑制性突触后电位（)。

A.极化

B.去极化

C.超极化

D.复极化

A.突触前膜阈电位水平抬高

B.突触前末梢递质释放减少

C.突触前末梢释放抑制性递质

D.抑制性中间神经元兴奋

E.突触后膜产生IPSP

A.都是局部电位

B.均是引起突触后膜离子电导发生了改变

C.EPSP释放了兴奋性的递质，引起膜的去极化

D.IPSP引发了钾离子外流，突触后膜超极化

E.突触后膜上的受体一般为配体门控的离子通道

A.不能去极化

B.兴奋性递质释放增多

C.兴奋性递质释放量减少

D.释放抑制性递质

A.锋电位

B.阈电位

C.去极化后电位

D.超极化后电位

E.局部电位

A.产生超极

B.递质耗竭

C.释放抑制性递质

D.兴奋性递质释放减少

A.极化

B.去极化

C.超极化

D.反极化

A.使后膜电位远离阈电位水平

B.因突触前递质释放减少而产生

C.因后膜Ca2+电导降低而产生

D.由中间神经元受抑制而产生

A.突触前神经元阈电位水平抬高

B.突触前末梢递质释放减少

C.突触前末梢释放抑制性神经递质

D.存在抑制性中间神经元的介导

A.突触前膜量子式释放的递质是Ach

B.终板膜上的Ach受体是化学门控通道

C.兴奋的传递具有单向性

D.终板电位具有“全或无”的特征